SIZ910DT-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

Hersteller Teilenummer

SIZ910DT-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIZ910DT-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

52026 Pieces

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Technische Daten für SIZ910DT-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIZ910DT-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 15V

Leistung max : 48W, 100W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Supplier Device Package : 8-PowerPair® (6x5)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIZ91 , SIZ910D

Dokumente für SIZ910DT-T1-GE3

Datenblätter : SIZ910DT-T1-GE3.pdf

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