SI7997DP-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller Teilenummer

SI7997DP-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI7997DP-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI7997DP-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI7997DP-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6200pF @ 15V

Leistung max : 46W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual

Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI799 , SI7997D

Dokumente für SI7997DP-T1-GE3

Datenblätter : SI7997DP-T1-GE3.pdf

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