FDR6580 - MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

Hersteller Teilenummer

FDR6580

Interne Teilenummer

ABC-FDR6580

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

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Technische Daten für FDR6580

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDR6580

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 11.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3829pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SuperSOT™-8

Paket / fall : 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDR6580.pdf

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