TK8R2A06PL,S4X - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller Teilenummer

TK8R2A06PL,S4X

Interne Teilenummer

ABC-TK8R2A06PL,S4X

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für TK8R2A06PL,S4X

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK8R2A06PL,S4X

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Serie : U-MOSIX-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.4 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 300µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 28.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1990pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 36W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220SIS

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : TK8R2A06PL,S4X.pdf

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