SQJ560EP-T1_GE3 - MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

Hersteller Teilenummer

SQJ560EP-T1_GE3

Interne Teilenummer

ABC-SQJ560EP-T1_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1014937 Pieces

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Technische Daten für SQJ560EP-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQJ560EP-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N and P-Channel

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc), 18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V, 45nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1650pF @ 25V

Leistung max : 34W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual

Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SQJ56 , SQJ560E

Dokumente für SQJ560EP-T1_GE3

Datenblätter : SQJ560EP-T1_GE3.pdf

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