SSM6L35FE,LM - MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

Hersteller Teilenummer

SSM6L35FE,LM

Interne Teilenummer

ABC-SSM6L35FE,LM

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für SSM6L35FE,LM

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SSM6L35FE,LM

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N and P-Channel

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180mA, 100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9.5pF @ 3V

Leistung max : 150mW

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SOT-563, SOT-666

Supplier Device Package : ES6 (1.6x1.6)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SSM6L35FE,LM

Datenblätter : SSM6L35FE,LM.pdf

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