2N6766T1 - MOSFET N-CH 200V TO-254AA

Hersteller Teilenummer

2N6766T1

Interne Teilenummer

ABC-2N6766T1

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V TO-254AA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

73056 Pieces

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Technische Daten für 2N6766T1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2N6766T1

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V TO-254AA

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 115nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 4W (Ta), 150W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-254AA

Paket / fall : TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für 2N6766T1

Datenblätter : 2N6766T1.pdf

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