SQD19P06-60L_GE3 - MOSFET P-CH 60V 20A TO252

Hersteller Teilenummer

SQD19P06-60L_GE3

Interne Teilenummer

ABC-SQD19P06-60L_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 20A TO252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

910847 Pieces

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Technische Daten für SQD19P06-60L_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQD19P06-60L_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 20A TO252

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1490pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 46W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SQD19 , SQD19P06

Dokumente für SQD19P06-60L_GE3

Datenblätter : SQD19P06-60L_GE3.pdf

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