SI8819EDB-T2-E1 - MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Hersteller Teilenummer

SI8819EDB-T2-E1

Interne Teilenummer

ABC-SI8819EDB-T2-E1

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

RoHS-Status

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Technische Daten für SI8819EDB-T2-E1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI8819EDB-T2-E1

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 3.7V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 1.5A, 3.7V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 8V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 6V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 900mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)

Paket / fall : 4-XFBGA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI881 , SI8819E

Dokumente für SI8819EDB-T2-E1

Datenblätter : SI8819EDB-T2-E1.pdf

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