FDI045N10A - MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Hersteller Teilenummer

FDI045N10A

Interne Teilenummer

ABC-FDI045N10A

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für FDI045N10A

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDI045N10A

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5270pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 263W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I2PAK (TO-262)

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDI045N10A

Datenblätter : FDI045N10A.pdf

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