RD0106T-H - DIODE GEN PURP 600V 1A TP

Hersteller Teilenummer

RD0106T-H

Interne Teilenummer

ABC-RD0106T-H

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 1A TP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

72064 Pieces

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Technische Daten für RD0106T-H

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RD0106T-H

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 1A TP

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 50ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Supplier Device Package : TP

Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RD0106T-H

Datenblätter : RD0106T-H.pdf

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