IRG7CH50K10EF - IGBT CHIP WAFER

Hersteller Teilenummer

IRG7CH50K10EF

Interne Teilenummer

ABC-IRG7CH50K10EF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

IGBT CHIP WAFER

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

175656 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für IRG7CH50K10EF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRG7CH50K10EF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : IGBT CHIP WAFER

Serie : -

Teilestatus : Active

IGBT-Typ : Trench Field Stop

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm) : -

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 25A

Leistung max : -

Energie wechseln : -

Eingabetyp : Standard

Gate Charge : 170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C : 50ns/280ns

Testbedingung : 600V, 35A, 10 Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr) : -

Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : Die

Supplier Device Package : Die

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRG7 , IRG7CH

Dokumente für IRG7CH50K10EF

Datenblätter : IRG7CH50K10EF.pdf

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