AS4C16M16MSA-6BIN - IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Hersteller Teilenummer

AS4C16M16MSA-6BIN

Interne Teilenummer

ABC-AS4C16M16MSA-6BIN

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

142192 Pieces

Referenzpreis

~~USD 2.925~~

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Technische Daten für AS4C16M16MSA-6BIN

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : AS4C16M16MSA-6BIN

Hersteller : Alliance Memory, Inc.

Beschreibung : IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - Mobile SDRAM

Speichergröße : 256Mb (16M x 16)

Taktfrequenz : 166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : 5.5ns

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 54-VFBGA

Supplier Device Package : 54-FBGA (8x8)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : AS4C1 , AS4C16M1

Dokumente für AS4C16M16MSA-6BIN

Datenblätter : AS4C16M16MSA-6BIN.pdf

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