RS1KLHM2G - DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller Teilenummer

RS1KLHM2G

Interne Teilenummer

ABC-RS1KLHM2G

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

14003199 Pieces

Referenzpreis

~~USD 0.023375~~

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Technische Daten für RS1KLHM2G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RS1KLHM2G

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 800mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 800mA

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 500ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-219AB

Supplier Device Package : Sub SMA

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RS1 , RS1K

Dokumente für RS1KLHM2G

Datenblätter : RS1KLHM2G.pdf

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