APTM100UM45DAG - MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Hersteller Teilenummer

APTM100UM45DAG

Interne Teilenummer

ABC-APTM100UM45DAG

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

59257 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für APTM100UM45DAG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APTM100UM45DAG

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Serie : POWER MOS 7®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 215A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 107.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 30mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1602nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 42700pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 5000W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Supplier Device Package : SP6

Paket / fall : SP6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : APTM100UM45DAG.pdf

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