BSC0910NDIATMA1 - MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

Hersteller Teilenummer

BSC0910NDIATMA1

Interne Teilenummer

ABC-BSC0910NDIATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für BSC0910NDIATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSC0910NDIATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion : Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A, 31A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 12V

Leistung max : 1W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Supplier Device Package : PG-TISON-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : BSC0910NDIATMA1.pdf

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