ZXMN10A08DN8TA - MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

ZXMN10A08DN8TA

Interne Teilenummer

ABC-ZXMN10A08DN8TA

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für ZXMN10A08DN8TA

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ZXMN10A08DN8TA

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA (Min)

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 405pF @ 50V

Leistung max : 1.25W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SOP

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : ZXMN , ZXMN10A

Dokumente für ZXMN10A08DN8TA

Datenblätter : ZXMN10A08DN8TA.pdf

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