SQ1912AEEH-T1_GE3 - MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6

Hersteller Teilenummer

SQ1912AEEH-T1_GE3

Interne Teilenummer

ABC-SQ1912AEEH-T1_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SQ1912AEEH-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQ1912AEEH-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 800mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.25nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 27pF @ 10V

Leistung max : 1.5W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SQ1912AEEH-T1_GE3

Datenblätter : SQ1912AEEH-T1_GE3.pdf

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