SIZ998DT-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Hersteller Teilenummer

SIZ998DT-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIZ998DT-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

955269 Pieces

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Technische Daten für SIZ998DT-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIZ998DT-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V

Leistung max : 20.2W, 32.9W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Supplier Device Package : 8-PowerPair®

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIZ99 , SIZ998D

Dokumente für SIZ998DT-T1-GE3

Datenblätter : SIZ998DT-T1-GE3.pdf

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