LND01K1-G - MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

Hersteller Teilenummer

LND01K1-G

Interne Teilenummer

ABC-LND01K1-G

Hersteller

Microchip Technology

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1973853 Pieces

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Technische Daten für LND01K1-G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : LND01K1-G

Hersteller : Microchip Technology

Beschreibung : MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 9V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 330mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 100mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : +0.6V, -12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 46pF @ 5V

FET-Funktion : Depletion Mode

Verlustleistung (max.) : 360mW (Ta)

Betriebstemperatur : -25°C ~ 125°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23-5

Paket / fall : SC-74A, SOT-753

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : LND , LND0

Dokumente für LND01K1-G

Datenblätter : LND01K1-G.pdf

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