BUK652R3-40C,127 - MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

Hersteller Teilenummer

BUK652R3-40C,127

Interne Teilenummer

ABC-BUK652R3-40C,127

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für BUK652R3-40C,127

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BUK652R3-40C,127

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 15100pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 306W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für BUK652R3-40C,127

Datenblätter : BUK652R3-40C,127.pdf

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