SISH106DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Hersteller Teilenummer

SISH106DN-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SISH106DN-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

804776 Pieces

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Technische Daten für SISH106DN-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SISH106DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8SH

Paket / fall : PowerPAK® 1212-8SH

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SISH1 , SISH106D

Dokumente für SISH106DN-T1-GE3

Datenblätter : SISH106DN-T1-GE3.pdf

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