SI5975DC-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET

Hersteller Teilenummer

SI5975DC-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI5975DC-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

51714 Pieces

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Technische Daten für SI5975DC-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI5975DC-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 1mA (Min)

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 1.1W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead

Supplier Device Package : 1206-8 ChipFET™

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI597 , SI5975D

Dokumente für SI5975DC-T1-GE3

Datenblätter : SI5975DC-T1-GE3.pdf

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