HTNFET-D - MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Hersteller Teilenummer

HTNFET-D

Interne Teilenummer

ABC-HTNFET-D

Hersteller

Honeywell Aerospace

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 8-DIP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

59150 Pieces

Referenzpreis

~~USD 203~~

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Technische Daten für HTNFET-D

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : HTNFET-D

Hersteller : Honeywell Aerospace

Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Serie : HTMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.3nC @ 5V

Vgs (Max) : 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 28V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 50W (Tj)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 225°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : 8-CDIP-EP

Paket / fall : 8-CDIP Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für HTNFET-D

Datenblätter : HTNFET-D.pdf

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