BUK7C3R8-80EJ - MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7

Hersteller Teilenummer

BUK7C3R8-80EJ

Interne Teilenummer

ABC-BUK7C3R8-80EJ

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

46085 Pieces

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Technische Daten für BUK7C3R8-80EJ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BUK7C3R8-80EJ

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D2PAK-7

Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BUK7 , BUK7C3

Dokumente für BUK7C3R8-80EJ

Datenblätter : BUK7C3R8-80EJ.pdf

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