FDU7N60NZTU - MOSFET N-CH 600V SGL IPAK

Hersteller Teilenummer

FDU7N60NZTU

Interne Teilenummer

ABC-FDU7N60NZTU

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V SGL IPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1217923 Pieces

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Technische Daten für FDU7N60NZTU

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDU7N60NZTU

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V SGL IPAK

Serie : UniFET-II™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 730pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 90W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I-PAK

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FDU , FDU7N

Dokumente für FDU7N60NZTU

Datenblätter : FDU7N60NZTU.pdf

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