EFC4618R-P-TR - MOSFET 2N-CH EFCP1818

Hersteller Teilenummer

EFC4618R-P-TR

Interne Teilenummer

ABC-EFC4618R-P-TR

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH EFCP1818

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

53066 Pieces

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Technische Daten für EFC4618R-P-TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : EFC4618R-P-TR

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET 2N-CH EFCP1818

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion : Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain-Source-Spannung (Vdss) : -

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 1.6W

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 4-XBGA, 4-FCBGA

Supplier Device Package : EFCP1313-4CC-037

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : EFC4 , EFC461

Dokumente für EFC4618R-P-TR

Datenblätter : EFC4618R-P-TR.pdf

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