ESH2B R5G - DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller Teilenummer

ESH2B R5G

Interne Teilenummer

ABC-ESH2B R5G

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

5142564 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für ESH2B R5G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ESH2B R5G

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 2A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 20ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-214AA, SMB

Supplier Device Package : DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für ESH2B R5G

Datenblätter : ESH2B R5G.pdf

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