CSD18536KTTT - MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK

Hersteller Teilenummer

CSD18536KTTT

Interne Teilenummer

ABC-CSD18536KTTT

Hersteller

T-I

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für CSD18536KTTT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : CSD18536KTTT

Hersteller : T-I

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK

Serie : NexFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200A (Ta), 279A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11430pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DDPAK/TO-263-3

Paket / fall : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : CSD18536KTTT.pdf

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