FQD11P06TM - MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Hersteller Teilenummer

FQD11P06TM

Interne Teilenummer

ABC-FQD11P06TM

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für FQD11P06TM

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FQD11P06TM

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Serie : QFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 185 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 38W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D-Pak

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FQD , FQD11

Dokumente für FQD11P06TM

Datenblätter : FQD11P06TM.pdf

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