A2T18S165-12SR3 - AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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Kurze Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für A2T18S165-12SR3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : A2T18S165-12SR3
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : LDMOS
Frequenz : 1.805GHz ~ 1.995GHz
Gewinnen : 18dB
Spannungs - Test : 28V
Aktuelle Bewertung : 10µA
Rauschzahl : -
Aktueller Test : 800mA
Leistung : 148W
Spannung - bewertet : 65V
Paket / fall : NI-780S-2L2L
Supplier Device Package : NI-780S-2L2L
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : A2T18 , A2T18S1

Dokumente für A2T18S165-12SR3

Datenblätter : A2T18S165-12SR3.pdf

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