SIZF300DT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Hersteller Teilenummer

SIZF300DT-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIZF300DT-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1164646 Pieces

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Technische Daten für SIZF300DT-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIZF300DT-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Serie : TrenchFET® Gen IV

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V, 62nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V

Leistung max : 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Supplier Device Package : 8-PowerPair® (6x5)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIZF3 , SIZF300D

Dokumente für SIZF300DT-T1-GE3

Datenblätter : SIZF300DT-T1-GE3.pdf

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