IS43DR86400D-3DBLI - IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Hersteller Teilenummer

IS43DR86400D-3DBLI

Interne Teilenummer

ABC-IS43DR86400D-3DBLI

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Kurze Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

121448 Pieces

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Technische Daten für IS43DR86400D-3DBLI

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IS43DR86400D-3DBLI

Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - DDR2

Speichergröße : 512Mb (64M x 8)

Taktfrequenz : 333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns

Zugriffszeit : 450ps

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 60-TFBGA

Supplier Device Package : 60-TWBGA (8x10.5)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IS43DR86400D-3DBLI

Datenblätter : IS43DR86400D-3DBLI.pdf

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